NXP PMGD8000LN 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 125 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V
Dual Trench MOS logic level FET Description Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using Trench MOS technology. Features Trench MOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount package Applications Battery management High-speed switch Low power DC-to-DC converter.
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NXP PMGD8000LN 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 125 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V
针脚数 6
漏源极电阻 8 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 200 mW
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 125 mA
上升时间 7 ns
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
封装 SOT-363
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PMGD8000LN NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PMGD8000LN,115 恩智浦 | 完全替代 | PMGD8000LN和PMGD8000LN,115的区别 |