对比图
描述 NXP PMGD8000LN 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 125 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 VTSSOP N-CH 30V 0.125A
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 SOT-363 SOT-323-6
极性 Dual N-Channel Dual N-Channel
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 125 mA 125 mA
上升时间 7 ns 7 ns
输入电容(Ciss) - 18.5pF @5V(Vds)
额定功率(Max) - 200 mW
下降时间 7 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 200 mW
针脚数 6 -
漏源极电阻 8 Ω -
耗散功率 200 mW -
阈值电压 1.5 V -
封装 SOT-363 SOT-323-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 -