PESD3V3L4UG,115

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PESD3V3L4UG,115中文资料参数规格
技术参数

电容 28 pF

击穿电压 5.6 V

通道数 4

耗散功率 6 W

钳位电压 12 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 30 W

最小反向击穿电压 5.32 V

击穿电压 5.32 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-353

外形尺寸

宽度 1.05 mm

高度 1 mm

封装 SOT-353

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PESD3V3L4UG,115
型号: PESD3V3L4UG,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:PESDxL4UG 系列 8 V 28 pF 低电容 ESD保护二极管阵列 - SOT-353
替代型号PESD3V3L4UG,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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