PSMN2R9-30MLC

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PSMN2R9-30MLC中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.00245 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 91 W

阈值电压 1.78 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 4

封装 SC-100

外形尺寸

封装 SC-100

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 Exempt

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: PSMN2R9-30MLC
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  PSMN2R9-30MLC  晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 30 V, 0.00245 ohm, 10 V, 1.78 V

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