PMBD914

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PMBD914概述

NXP Semiconductors### 特点支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。

反向电压VrReverse Voltage| 100V

\---|---

平均整流电流IoAverage Rectified Current| 215mA/0.215A

最大正向压降VFForward VoltageVf |

反向恢复时间TrrReverse Recovery Time| 4.0ns

最大耗散功率PdPower Dissipation| 250mW/0.25W

Description & Applications| • Single high-speed switching diode • High switching speed: rr ≤ 4 ns n • Low cApAcitAnce: Cd ≤ 1.5 Pf • Low leAkAge current n ReVerse VoltAge: VR ≤ 100 V • RepetitiVe peAk reVerse VoltAge VRRm ≤ 100 V • SmAll SmD plAstic pAckAge

描述与应用| •单个高速开关 •高开关速度:RR≤4 NS N •低电容:镉≤1.5 PF •低漏电流n反向电压VR≤100 V •重复性峰值反向VoltAgeVRRm的≤​​100 V •小SmD塑料包装

PMBD914中文资料参数规格
技术参数

反向恢复时间 4 ns

正向电流 215 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 4 A

正向电压Max 1.25 V

正向电流Max 215 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-236

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 TO-236

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买PMBD914
型号: PMBD914
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP Semiconductors ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器,NXP Semiconductors NXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
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