PIMT1,115

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PIMT1,115概述

小信号 PNP 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

小信号 PNP ,Nexperia


得捷:
TRANS 2PNP 40V 0.1A 6TSOP


欧时:
NXP PIMT1, 双 PNP 双极晶体管, 100 mA, Vce=40 V, HFE:120, 100 MHz, 6引脚 TSOP封装


艾睿:
Trans GP BJT PNP 40V 0.1A Automotive 6-Pin TSOP T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 40V 0.1A 6-Pin TSOP T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 40V 0.1A 6-Pin SC-74 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 40V 0.1A Automotive 6-Pin TSOP T/R


Newark:
# NXP  PIMT1,115  Bipolar Transistor Array, PNP, -40 V, 600 mW, -100 mA, 120 hFE, SOT-457


PIMT1,115中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 PNP

耗散功率 600 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V

额定功率Max 600 mW

直流电流增益hFE 120

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-457

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.7 mm

高度 1 mm

封装 SOT-457

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PIMT1,115
型号: PIMT1,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:小信号 PNP 晶体管,NXP ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
替代型号PIMT1,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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