PIMT1和PIMT1,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIMT1 PIMT1,115 934056662115

描述 NXP  PIMT1  双极晶体管阵列, PNP, 40 V, 300 mW, -100 mA, 120 hFE, SOT-457小信号 PNP 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsSmall Signal Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

引脚数 6 6 -

封装 SOT-457 SOT-457 -

安装方式 - Surface Mount -

针脚数 6 - -

极性 PNP PNP -

耗散功率 300 mW 600 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 120 120 @1mA, 6V -

直流电流增益(hFE) 120 120 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

频率 - 100 MHz -

最大电流放大倍数(hFE) - 120 @1mA, 6V -

额定功率(Max) - 600 mW -

耗散功率(Max) - 600 mW -

封装 SOT-457 SOT-457 -

长度 - 3.1 mm -

宽度 - 1.7 mm -

高度 - 1 mm -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

含铅标准 - Lead Free -

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