PESD12VS2UT,215

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PESD12VS2UT,215中文资料参数规格
技术参数

工作电压 12 V

电容 75 pF

击穿电压 14.7 V

耗散功率 180 W

钳位电压 35 V

测试电流 5 mA

脉冲峰值功率 180 W

最小反向击穿电压 14.7 V

击穿电压 14.7 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买PESD12VS2UT,215
型号: PESD12VS2UT,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:ESD ElectroStatic Discharge Protection Unidirectional Diode Arrays, PESD Series, NXP ### 瞬态电压抑制器,NXP
替代型号PESD12VS2UT,215
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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