NXP PBSS4250X,115 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 100 MHz, 550 mW, 2 A, 300 hFE
The is a 2A NPN breakthrough-in small signal BISS Transistor in a plastic package. It offers die pad for good heat transfer.
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- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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- High collector current capability: IC and ICM
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- Higher efficiency leading to less heat generation
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- Reduced printed-circuit board requirements
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- PNP complement is PBSS5250X
频率 100 MHz
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 550 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 300 @1A, 2V
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 300
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
长度 4.6 mm
宽度 2.6 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-89-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Industrial, Signal Processing, Motor Drive & Control, Lighting
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PBSS4250X,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PBSS4250X,135 恩智浦 | 类似代替 | PBSS4250X,115和PBSS4250X,135的区别 |
BZX84-B18 恩智浦 | 功能相似 | PBSS4250X,115和BZX84-B18的区别 |
PBSS4250X 恩智浦 | 功能相似 | PBSS4250X,115和PBSS4250X的区别 |