PSMN2R0-30YLE,115

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PSMN2R0-30YLE,115中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

耗散功率 272000 mW

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 55.7 ns

输入电容Ciss 5217pF @15VVds

额定功率Max 272 W

下降时间 29.5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 272W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-669-4

外形尺寸

高度 1.1 mm

封装 SOT-669-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PSMN2R0-30YLE,115
型号: PSMN2R0-30YLE,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5Pin4+Tab LFPAK T/R

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