PSMN4R3-100ES,127参数规格_中文资料_数据手册PDF

PSMN4R3-100ES,127概述

MOSFET N-Ch 100V 4.3m std level MOSFET

N-Channel 100 V 120A Tc 338W Tc Through Hole I2PAK

得捷:
TRANSISTOR >30MHZ

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin3+Tab I2PAK Rail

DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

PSMN4R3-100ES,127中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 338W Tc

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 9900pF @50VVds

额定功率Max 338 W

耗散功率Max 338W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买PSMN4R3-100ES,127

型号： PSMN4R3-100ES,127

制造商： NXP 恩智浦

描述：MOSFET N-Ch 100V 4.3m std level MOSFET