PHK18NQ03LT,518参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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PHK18NQ03LT,518中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 6.25 W

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 1380pF @12VVds

额定功率Max 6.25 W

耗散功率Max 6.25W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHK18NQ03LT,518

型号： PHK18NQ03LT,518

制造商： NXP 恩智浦

描述：MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC

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PHK18NQ03LT,518和PHK18NQ03LT的区别