对比图
型号 PHK18NQ03LT PHK18NQ03LT,518
描述 N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FETMOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
耗散功率 - 6.25 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
输入电容(Ciss) 1380pF @12V(Vds) 1380pF @12V(Vds)
额定功率(Max) 6.25 W 6.25 W
耗散功率(Max) - 6.25W (Tc)
上升时间 - -
下降时间 - -
工作温度(Max) - -
工作温度(Min) - -
极性 N-CH -
连续漏极电流(Ids) 20.3A -
封装 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free