PSMN028-100YS,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PSMN028-100YS,115概述

LFPAK N-CH 100V 42A

N-Channel 100V 42A Tc 89W Tc Surface Mount

得捷:
MOSFET N-CH 100V 42A LFPAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R

PSMN028-100YS,115中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 89 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 42A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 1634pF @50VVds

额定功率Max 89 W

下降时间 12 ns

耗散功率Max 89W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-669

外形尺寸

封装 SOT-669

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PSMN028-100YS,115

型号： PSMN028-100YS,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：LFPAK N-CH 100V 42A

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PSMN028-100YS,115 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
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