对比图
型号 HAT2173H-EL-E PSMN028-100YS,115 PSMN016-100YS,115
描述 硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power SwitchingLFPAK N-CH 100V 42ALFPAK N-CH 100V 51A
数据手册 ---
制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669
引脚数 5 4 -
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 30 W 89 W 117 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 25A 42A 51A
上升时间 15 ns 14 ns 24 ns
输入电容(Ciss) 4350pF @10V(Vds) 1634pF @50V(Vds) 2744pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 30 W 89 W 117 W
下降时间 5.7 ns 12 ns 21 ns
耗散功率(Max) 30W (Tc) 89W (Tc) 117W (Tc)
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free