PSMN2R1-40PLQ参数规格_中文资料_数据手册PDF

PSMN2R1-40PLQ概述

N沟道 40V 150A

N-Channel 40 V 150A Tc 293W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

立创商城:
N沟道 40V 150A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

PSMN2R1-40PLQ中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 293W Tc

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 150A

上升时间 96 ns

输入电容Ciss 9584pF @25VVds

下降时间 93 ns

耗散功率Max 293W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

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型号： PSMN2R1-40PLQ

制造商： NXP 恩智浦

描述：N沟道 40V 150A