PHB191NQ06LT,118

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PHB191NQ06LT,118中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 75.0 A

上升时间 232 ns

输入电容Ciss 7665pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 178 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHB191NQ06LT,118
型号: PHB191NQ06LT,118
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans MOSFET N-CH 55V 75A 3Pin2+Tab D2PAK T/R
替代型号PHB191NQ06LT,118
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PHB191NQ06LT,118

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

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