对比图
型号 FDB8445 PHB191NQ06LT,118 BUK764R0-55B,118
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB8445 场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 0.0068Ω, 70A, TO-263AB-3Trans MOSFET N-CH 55V 75A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RD2PAK N-CH 55V 193A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 92 W 300 W 300 W
漏源极电压(Vds) 40 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 70.0 A 75.0 A 75.0 A
上升时间 19 ns 232 ns 51 ns
输入电容(Ciss) 3805pF @25V(Vds) 7665pF @25V(Vds) 6776pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 92 W 300 W 300 W
下降时间 16 ns 178 ns 41 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 92W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
漏源极电阻 6.8 mΩ - 0.0034 Ω
阈值电压 2.5 V - 3 V
额定电压(DC) 40.0 V - -
额定电流 70.0 A - -
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
输入电容 3.80 nF - -
栅电荷 62.0 nC - -
漏源击穿电压 40 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
高度 4.83 mm - 4.5 mm
长度 10.97 mm - -
宽度 9.65 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 - -