PMV30UN2R

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PMV30UN2R中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 490mW Ta, 5W Tc

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 5.4A

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 655pF @10VVds

额定功率Max 490 mW

下降时间 10 ns

耗散功率Max 490mW Ta, 5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMV30UN2R
型号: PMV30UN2R
制造商: NXP 恩智浦
描述:N-沟道 20 V 5.4 A 32 mΩ 表面贴装 Trench Mosfet - SOT-23

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