PBSS4160DS

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PBSS4160DS中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.7 mm

高度 1 mm

封装 TSOP

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

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型号: PBSS4160DS
制造商: NXP 恩智浦
描述:NPN 晶体管,NXP 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

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