PBLS6002D

PBLS6002D中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50V, 60V

集电极最大允许电流 100mA/1A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买PBLS6002D
型号: PBLS6002D
制造商: NXP 恩智浦
描述:低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 Low VCEsat BISS transistors
替代型号PBLS6002D
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PBLS6002D

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PBLS6002D,115

恩智浦

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