对比图
描述 低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat (BISS) transistorsTSOP NPN+PNP 50V/60V 100mA/1A
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 6
封装 TSOP SOT-457
极性 NPN+PNP NPN+PNP
耗散功率 - 600 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50V, 60V 50V, 60V
集电极最大允许电流 100mA/1A 100mA/1A
额定功率(Max) - 600 mW
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
增益带宽 - 185 MHz
耗散功率(Max) - 600 mW
额定功率 - -
通道数 - -
高度 - 1 mm
封装 TSOP SOT-457
长度 - -
宽度 - -
工作温度 - -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free