PHD38N02LT参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

PHD38N02LT图片1

PHD38N02LT中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 44.7A

输入电容Ciss 800pF @20VVds

额定功率Max 57.6 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买PHD38N02LT

型号： PHD38N02LT

制造商： NXP 恩智浦

描述：N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET

替代型号PHD38N02LT

型号/品牌

代替类型

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PHD38N02LT

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PHD38N02LT,118

恩智浦

完全替代

PHD38N02LT和PHD38N02LT,118的区别

PHB38N02LT,118

恩智浦

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