PHD38N02LT和PHB38N02LT,118

对比图

型号 PHD38N02LT PHB38N02LT,118 PHD38N02LT,118

描述 N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FETD2PAK N-CH 20V 44.7ADPAK N-CH 20V 44.7A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252-3

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 16 mΩ -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 - 57.6 W 57.6 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 - 20 V -

连续漏极电流(Ids) 44.7A 44.7A 44.7A

上升时间 - 12.5 ns -

输入电容(Ciss) 800pF @20V(Vds) 800pF @20V(Vds) 800pF @20V(Vds)

下降时间 - 23 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 57.6W (Tc) 57.6W (Tc)

额定功率(Max) 57.6 W - 57.6 W

长度 - 10.3 mm -

宽度 - 9.4 mm -

高度 - 4.5 mm -

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 Lead Free