PMV65UNER概述
N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=2.8A P=490mW
表面贴装型 N 通道 2.8A（Ta） 490mW（Ta） TO-236AB
得捷:
MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin TO-236AB T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin TO-236AB T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 20V TO-236AB
PMV65UNER中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.94 W
输入电容 291 pF
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 23 ns
输入电容Ciss 291pF @10VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 490mW Ta, 940mW Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
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