PBSS4032SP,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PBSS4032SP,115概述

2个PNP 30V 1.4W 100nA

Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 30V 4.8A 115MHz 2.3W Surface Mount 8-SO

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2个PNP 30V 4.8A

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TRANS 2PNP 30V 4.8A 8SO

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Bipolar Transistors - BJT Dual PNP -30V -4.8A 0.73W 115MHz

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Trans GP BJT PNP 30V 4.8A 2300mW 8-Pin SO T/R

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Trans GP BJT PNP 30V 4.8A 8-Pin SO T/R

PBSS4032SP,115中文资料参数规格

技术参数

额定功率 1.4 W

耗散功率 0.73 W

增益频宽积 115 MHz

击穿电压集电极-发射极 30 V

最小电流放大倍数hFE 150 @2A, 2V

额定功率Max 2.3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买PBSS4032SP,115

型号： PBSS4032SP,115

描述：2个PNP 30V 1.4W 100nA