PQMD2Z

PQMD2Z图片1
PQMD2Z概述

2个PNP-预偏置 100mA 50V

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 230MHz,180MHz 230mW 表面贴装型 DFN1010B-6


得捷:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V 6DFN


立创商城:
2个PNP-预偏置 100mA 50V


艾睿:
Digital Transistors


PQMD2Z中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 5V

额定功率Max 230 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 XFDFN-6

外形尺寸

封装 XFDFN-6

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买PQMD2Z
型号: PQMD2Z
制造商: Nexperia 安世
描述:2个PNP-预偏置 100mA 50V

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