PMN30UNEX概述
晶体管, MOSFET, 沟槽式, N沟道, 4.8 A, 20 V, 0.028 ohm, 4.5 V, 650 mV
N-Channel 20V 4.8A Ta 530mW Ta, 4.46W Tc Surface Mount 6-TSOP
立创商城:
PMN30UNEX
得捷:
MOSFET N-CH 20V 4.8A 6TSOP
e络盟:
晶体管, MOSFET, 沟槽式, N沟道, 4.8 A, 20 V, 0.028 ohm, 4.5 V, 650 mV
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.8A 6-Pin TSOP T/R
PMN30UNEX中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.028 Ω
耗散功率 530 mW
阈值电压 650 mV
输入电容 558 pF
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 558pF @10VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 530mW Ta, 4.46W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457
外形尺寸
封装 SOT-457
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
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