PMN25ENEX

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PMN25ENEX概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.5 V

表面贴装型 N 通道 30 V 6.1A(Ta) 560mW(Ta),6.25mW(Tc) 6-TSOP


得捷:
MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP


立创商城:
PMN25ENEX


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOP


PMN25ENEX中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.017 Ω

耗散功率 560 mW

阈值电压 1.5 V

输入电容 597 pF

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 597pF @15VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1400 mW

封装参数

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 150 ℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMN25ENEX
型号: PMN25ENEX
制造商: Nexperia 安世
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.5 V

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