RB751V40T1G

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RB751V40T1G概述

ON SEMICONDUCTOR  RB751V40T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C

肖特基势垒,最大 900mA,

### 标准

带 NSV-、SBR- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。


欧时:
ON Semiconductor 二极管 RB751V40T1G 肖特基, Io=30mA, Vrev=40V, 2引脚 SOD-323封装


得捷:
DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD323


立创商城:
RB751V40T1G


贸泽:
肖特基二极管与整流器 40V 200mW Single


e络盟:
小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C


艾睿:
Rectifier Diode Schottky 40V 0.03A 2-Pin SOD-323 T/R


Allied Electronics:
ON Semi RB751V40T1G; SMT Schottky Diode; 40V 30mA; 2-Pin SOD-323


安富利:
Diode Schottky 40V 0.03A 2-Pin SOD-323 T/R


富昌:
RB751V40T1 系列 30 V 500 mA 表面贴装 肖特基 势垒 二极管 - SOD-323


Chip1Stop:
Diode Schottky 40V 0.03A Automotive 2-Pin SOD-323 T/R


TME:
Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 0.03A; SOD323


Verical:
Diode Schottky 40V 0.03A Automotive 2-Pin SOD-323 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  RB751V40T1G  Small Signal Schottky Diode, Single, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C


Win Source:
DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD323


RB751V40T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 30.0 mA

电容 2.50 pF

输出电流 ≤30.0 mA

针脚数 2

正向电压 370mV @1mA

极性 Standard

耗散功率 200 kW

热阻 635℃/W RθJA

反向恢复时间 6 ns

最大反向击穿电压 30 V

正向电流 30 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 500 mA

正向电压Max 370 mV

正向电流Max 30 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 150 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-323

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SOD-323

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 便携式器材, Portable Devices

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

RB751V40T1G引脚图与封装图
RB751V40T1G引脚图
RB751V40T1G封装焊盘图
在线购买RB751V40T1G
型号: RB751V40T1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  RB751V40T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C
替代型号RB751V40T1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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