RB751V40T1G和RB751V40,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RB751V40T1G RB751V40,115 RB751V40T1

描述 ON SEMICONDUCTOR  RB751V40T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °CNXP  RB751V40,115  肖特基二极管, 120MA, 40V, SOD-323-240 V肖特基二极管 40 V SCHOTTKY BARRIER DIODE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 肖特基二极管肖特基二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 -

封装 SOD-323 SOD-323 SOD-323

额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V

额定电流 30.0 mA - 30.0 mA

电容 2.50 pF - 2.50 pF

输出电流 ≤30.0 mA - ≤30.0 mA

针脚数 2 2 -

正向电压 370mV @1mA 370mV @1mA 370mV @1mA

极性 Standard - Standard

耗散功率 200 kW - -

热阻 635℃/W (RθJA) 450℃/W (RθJA) 635℃/W (RθJA)

反向恢复时间 6 ns - -

最大反向击穿电压 30 V - -

正向电流 30 mA 120 mA -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 500 mA 200 mA -

正向电压(Max) 370 mV 370 mV 370mV @1mA

正向电流(Max) 30 mA - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 200 mW - -

工作结温 - 150℃ (Max) -

长度 1.7 mm - -

宽度 1.25 mm - -

高度 0.9 mm - -

封装 SOD-323 SOD-323 SOD-323

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 - NLR -

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