RN1102T5LFT

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RN1102T5LFT概述

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin SSM T/R

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SSM T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SSM T/R


RN1102T5LFT中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 50

额定功率Max 100 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-416

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.7 mm

封装 SOT-416

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RN1102T5LFT
型号: RN1102T5LFT
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin SSM T/R
替代型号RN1102T5LFT
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RN1102T5LFT

Toshiba 东芝

当前型号

当前型号

RN1102,LFCT

东芝

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