RN1102,LF(CT和RN1102T5LFT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RN1102,LF(CT RN1102T5LFT

描述 双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin SSM T/R

数据手册 --

制造商 Toshiba (东芝) Toshiba (东芝)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 -

封装 SOT-416-3 SOT-416

极性 NPN -

耗散功率 100 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) 50 @10mA, 5V 50 @10mA, 5V

额定功率(Max) 100 mW 100 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

增益带宽 250 MHz -

耗散功率(Max) 100 mW -

最大电流放大倍数(hFE) - 50

高度 0.7 mm 0.7 mm

封装 SOT-416-3 SOT-416

长度 - 1.6 mm

宽度 - 0.8 mm

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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