晶体管, MOSFET, P沟道, -7 A, -30 V, 0.012 ohm, -10 V, -2.5 V
P-Channel 30V 7A Ta 550mW Ta Surface Mount TSMT8
得捷:
MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
立创商城:
RQ1E070RPTR
贸泽:
MOSFET MID PWR MOSFET SER
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin TSMT T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin TSMT T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin TSMT T/R
针脚数 8
漏源极电阻 0.012 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.5 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 2700pF @10VVds
额定功率Max 550 mW
下降时间 70 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 550mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSMT-8
封装 TSMT-8
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RQ1E070RPTR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DMG4435SSS-13 美台 | 功能相似 | RQ1E070RPTR和DMG4435SSS-13的区别 |