DMG4435SSS-13和RQ1E070RPTR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMG4435SSS-13 RQ1E070RPTR SI4835DDY-T1-GE3

描述 DMG4435SSS 系列 30 V 20 mOhm P 沟道 增强型 Mosfet - SOP-8晶体管, MOSFET, P沟道, -7 A, -30 V, 0.012 ohm, -10 V, -2.5 VVISHAY  SI4835DDY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.7 A, -30 V, 14 mohm, -10 V, -3 V

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 TSMT-8 SOIC-8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.013 Ω 0.012 Ω 0.014 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5 W 1.5 W 2.5 W

阈值电压 1.7 V 2.5 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -30.0 V

连续漏极电流(Ids) 7.3A 7A -8.70 A

上升时间 12.7 ns 35 ns -

正向电压(Max) 1 V - -

输入电容(Ciss) 1614pF @15V(Vds) 2700pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) 1.3 W 550 mW -

下降时间 22.8 ns 70 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 550mW (Ta) 5.6 W

封装 SOIC-8 TSMT-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.55 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -

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