R8002ANX

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R8002ANX概述

10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

Structure

Silicon N-channel MOSFET

Features

1 Low on-resistance.

2 Low input capacitance.

3 High ESD.

Application

Switching


得捷:
MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM


立创商城:
N沟道 800V 2A


贸泽:
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-220FM, 通孔


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk


儒卓力:
**N-CH 800V 2A 4300mOhm TO220FP **


R8002ANX中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 3.3 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 36 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 2A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 210pF @25VVds

下降时间 70 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

最小包装 1000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

R8002ANX引脚图与封装图
R8002ANX引脚图
R8002ANX封装图
R8002ANX封装焊盘图
在线购买R8002ANX
型号: R8002ANX
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
替代型号R8002ANX
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

R8002ANX

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

R6012ANX

罗姆半导体

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R8002ANX和R6012ANX的区别

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