











10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
Structure
Silicon N-channel MOSFET
Features
1 Low on-resistance.
2 Low input capacitance.
3 High ESD.
Application
Switching
得捷:
MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM
立创商城:
N沟道 800V 2A
贸泽:
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-220FM, 通孔
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk
儒卓力:
**N-CH 800V 2A 4300mOhm TO220FP **
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 3.3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 36 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 2A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 210pF @25VVds
下降时间 70 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 35W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
最小包装 1000
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
R8002ANX ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
R6012ANX 罗姆半导体 | 类似代替 | R8002ANX和R6012ANX的区别 |