R6012ANX和R8002ANX

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 R6012ANX R8002ANX SPA15N60CFD

描述 N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFETCoolMOSTM功率晶体管特性的内在快速恢复体二极管 CoolMOSTM Power Transistor Features Intrinsic fast-recovery body diode

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

漏源极电阻 420 mΩ 3.3 Ω -

耗散功率 50 W 36 W 34 W

漏源极电压(Vds) 600 V 800 V 600 V

漏源击穿电压 600 V - -

上升时间 30 ns 20 ns 24 ns

输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 210pF @25V(Vds) 1820pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 50 W - 34 W

下降时间 35 ns 70 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 50W (Tc) 35W (Tc) 34000 mW

极性 - N-Channel N-Channel

连续漏极电流(Ids) - 2A 13.4 A

工作温度(Min) - - -55 ℃

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 5 V -

长度 10.3 mm - 10.65 mm

宽度 4.8 mm - 4.85 mm

高度 15.4 mm - 16.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended

包装方式 Bulk Bulk Tube

最小包装 - 1000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

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