N沟道 60 V 0.2 W 表面贴装 2.5 V 驱动 硅 功率 Mosfet - SOT-23
二极管与整流器
得捷:
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
立创商城:
N沟道 60V 250mA
欧时:
ROHM RK7002BM 系列 N沟道 MOSFET RK7002BMT116, 250 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V ±0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
儒卓力:
**N-CH 60V 0,25A 1700mOhm SOT23 **
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 0.25A SST3
针脚数 3
漏源极电阻 1.7 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 0.35 W
阈值电压 2.3 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 5 ns
正向电压Max 1.2 V
输入电容Ciss 15pF @25VVds
额定功率Max 200 mW
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.1 mm
宽度 1.5 mm
高度 1.15 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RK7002BMT116 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RK7002T116 罗姆半导体 | 类似代替 | RK7002BMT116和RK7002T116的区别 |
RK7002BMHZGT116 罗姆半导体 | 类似代替 | RK7002BMT116和RK7002BMHZGT116的区别 |