对比图
型号 RK7002BMT116 RK7002T116 RK7002BMHZGT116
描述 N沟道 60 V 0.2 W 表面贴装 2.5 V 驱动 硅 功率 Mosfet - SOT-23ROHM RK7002T116 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 1.85 V晶体管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, 2.3 V
数据手册 ---
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 1.7 Ω 7.5 Ω 1.7 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 0.35 W 225 mW 350 mW
阈值电压 2.3 V 1.85 V 2.3 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
上升时间 5 ns - 5 ns
正向电压(Max) 1.2 V - -
输入电容(Ciss) 15pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds) 15pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 200 mW 225 mW -
下降时间 28 ns - 28 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200mW (Ta) 225mW (Ta) 350 mW
额定电压(DC) - 60.0 V -
额定电流 - 115 mA -
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 60.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 115 mA 0.25A
长度 3.1 mm - -
宽度 1.5 mm - -
高度 1.15 mm - -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 - -