RK7002BMT116和RK7002T116

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RK7002BMT116 RK7002T116 RK7002BMHZGT116

描述 N沟道 60 V 0.2 W 表面贴装 2.5 V 驱动 硅 功率 Mosfet - SOT-23ROHM  RK7002T116  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 1.85 V晶体管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, 2.3 V

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 1.7 Ω 7.5 Ω 1.7 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 0.35 W 225 mW 350 mW

阈值电压 2.3 V 1.85 V 2.3 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

上升时间 5 ns - 5 ns

正向电压(Max) 1.2 V - -

输入电容(Ciss) 15pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds) 15pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 200 mW 225 mW -

下降时间 28 ns - 28 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200mW (Ta) 225mW (Ta) 350 mW

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 115 mA -

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 60.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 115 mA 0.25A

长度 3.1 mm - -

宽度 1.5 mm - -

高度 1.15 mm - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 - -

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