RJU003N03T106

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RJU003N03T106概述

ROHM  RJU003N03T106  晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 30 V, 1.1 ohm, 4.5 V, 1.5 V

表面贴装型 N 通道 30 V 300mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3


立创商城:
N沟道 30V 300mA


得捷:
MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3


e络盟:
ROHM  RJU003N03T106  晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 30 V, 1.1 ohm, 4.5 V, 1.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.3A 3-Pin UMT T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin UMT T/R


富昌:
N 沟道 200 mW 30 V 1.9 Ohm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - UMT-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin UMT T/R


儒卓力:
**N-CH SMD MOSFET 30V 0,3A UMT3 **


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323


RJU003N03T106中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 300 mA

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 200 mW

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

连续漏极电流Ids 300 mA

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 24pF @10VVds

额定功率Max 200 mW

下降时间 32 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 UMT-3

外形尺寸

封装 UMT-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

RJU003N03T106引脚图与封装图
RJU003N03T106引脚图
RJU003N03T106封装图
RJU003N03T106封装焊盘图
在线购买RJU003N03T106
型号: RJU003N03T106
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  RJU003N03T106  晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 30 V, 1.1 ohm, 4.5 V, 1.5 V
替代型号RJU003N03T106
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RJU003N03T106

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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当前型号

RHU003N03T106

罗姆半导体

功能相似

RJU003N03T106和RHU003N03T106的区别

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