ROHM RJU003N03T106 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 30 V, 1.1 ohm, 4.5 V, 1.5 V
表面贴装型 N 通道 30 V 300mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3
立创商城:
N沟道 30V 300mA
得捷:
MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
e络盟:
ROHM RJU003N03T106 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 30 V, 1.1 ohm, 4.5 V, 1.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.3A 3-Pin UMT T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin UMT T/R
富昌:
N 沟道 200 mW 30 V 1.9 Ohm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - UMT-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin UMT T/R
儒卓力:
**N-CH SMD MOSFET 30V 0,3A UMT3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
额定电压DC 30.0 V
额定电流 300 mA
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 1.1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 300 mA
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 24pF @10VVds
额定功率Max 200 mW
下降时间 32 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 UMT-3
封装 UMT-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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RJU003N03T106 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RHU003N03T106 罗姆半导体 | 功能相似 | RJU003N03T106和RHU003N03T106的区别 |