对比图
型号 RHU003N03T106 RJU003N03T106
描述 UMT N-CH 30V 0.3AROHM RJU003N03T106 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 30 V, 1.1 ohm, 4.5 V, 1.5 V
数据手册 --
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 SOT-323-3 UMT-3
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V
额定电流 3.00 A 300 mA
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 1.40 Ω 1.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 200 mW 200 mW
阈值电压 - 1.5 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V
连续漏极电流(Ids) 300 mA 300 mA
上升时间 6 ns 4 ns
输入电容(Ciss) 20pF @10V(Vds) 24pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 200 mW 200 mW
下降时间 40 ns 32 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 200mW (Ta) 200mW (Ta)
封装 SOT-323-3 UMT-3
长度 2 mm -
宽度 1.25 mm -
高度 0.8 mm -
材质 - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99