UMT N-CH 30V 0.3A
N-Channel 30V 300mA Ta 200mW Ta Surface Mount UMT3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
贸泽:
MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin UMT T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin UMT T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
额定电压DC 30.0 V
额定电流 3.00 A
漏源极电阻 1.40 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 300 mA
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 20pF @10VVds
额定功率Max 200 mW
下降时间 40 ns
耗散功率Max 200mW Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323-3
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.8 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RHU003N03T106 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RJU003N03T106 罗姆半导体 | 功能相似 | RHU003N03T106和RJU003N03T106的区别 |