RSD200N05TL

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RSD200N05TL概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 45 V, 0.02 ohm, 10 V, 2.5 V

N-Channel 45V 20A Ta 20W Tc Surface Mount CPT3


得捷:
MOSFET N-CH 45V 20A CPT3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 45 V, 0.02 ohm, 10 V, 2.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 45V 20A 3-Pin2+Tab CPT T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 45V ±20A 3-Pin TO-252 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 45V 20A 3-Pin2+Tab CPT T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 45V 20A 3-Pin2+Tab CPT T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 45V 20A CPT3


RSD200N05TL中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.02 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 20 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 45 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 950pF @10VVds

额定功率Max 20 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 20W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

RSD200N05TL引脚图与封装图
RSD200N05TL引脚图
RSD200N05TL封装图
RSD200N05TL封装焊盘图
在线购买RSD200N05TL
型号: RSD200N05TL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 45 V, 0.02 ohm, 10 V, 2.5 V
替代型号RSD200N05TL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RSD200N05TL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

RD3H200SNTL1

罗姆半导体

完全替代

RSD200N05TL和RD3H200SNTL1的区别

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