对比图
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 45 V, 0.02 ohm, 10 V, 2.5 V晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 45 V, 0.02 ohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 --
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.02 Ω 0.02 Ω
极性 - N-Channel
耗散功率 20 W 20 W
阈值电压 2.5 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 45 V 45 V
连续漏极电流(Ids) - 20A
上升时间 20 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 950pF @10V(Vds) 950pF @10V(Vds)
额定功率(Max) - 20 W
下降时间 20 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 20W (Tc) 20W (Tc)
封装 TO-252-3 TO-252-3
材质 - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准
含铅标准 无铅 Lead Free