RSD046P05TL

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RSD046P05TL概述

晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -45 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V

P-Channel 45V 4.5A Tc 850mW Ta, 15W Tc Surface Mount CPT3


得捷:
MOSFET P-CH 45V 4.5A CPT3


贸泽:
MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 45 V, 4.5 A, 0.11 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 45V 4.5A Automotive 3-Pin2+Tab CPT T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 45V 4.5A 3-Pin2+Tab CPT T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 45V 4.5A Automotive 3-Pin2+Tab CPT T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 45V 4.5A CPT3


RSD046P05TL中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 110 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 15 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 45 V

漏源击穿电压 45 V

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 550pF @10VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 850mW Ta, 15W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RSD046P05TL引脚图与封装图
RSD046P05TL引脚图
RSD046P05TL封装图
RSD046P05TL封装焊盘图
在线购买RSD046P05TL
型号: RSD046P05TL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -45 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V
替代型号RSD046P05TL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RSD046P05TL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

RD3H045SPTL1

罗姆半导体

类似代替

RSD046P05TL和RD3H045SPTL1的区别

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