对比图
型号 RD3H045SPTL1 RSD046P05TL
描述 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -45 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -45 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V
数据手册 --
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
安装方式 - Surface Mount
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.11 Ω 110 mΩ
耗散功率 15 W 15 W
上升时间 8 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 550pF @10V(Vds) 550pF @10V(Vds)
下降时间 8 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 15000 mW 850mW (Ta), 15W (Tc)
通道数 - 1
极性 - P-Channel
阈值电压 - 3 V
漏源极电压(Vds) - 45 V
漏源击穿电压 - 45 V
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 - Not For New Designs
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free