RCD100N19TL

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RCD100N19TL概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 190 V, 0.13 ohm, 10 V, 2.5 V

N-Channel 190V 10A Tc 850mW Ta, 20W Tc Surface Mount CPT3


得捷:
MOSFET N-CH 190V 10A CPT3


安富利:
Trans MOSFET N-CH 190V ±10A 3-Pin TO-252 T/R


RCD100N19TL中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.13 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 85 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 190 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 2000pF @25VVds

下降时间 75 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 850mW Ta, 20W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

RCD100N19TL引脚图与封装图
RCD100N19TL引脚图
RCD100N19TL封装图
RCD100N19TL封装焊盘图
在线购买RCD100N19TL
型号: RCD100N19TL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 190 V, 0.13 ohm, 10 V, 2.5 V
替代型号RCD100N19TL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RCD100N19TL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

RD3S100CNTL1

罗姆半导体

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