对比图
型号 RCD100N19TL RD3S100CNTL1
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 190 V, 0.13 ohm, 10 V, 2.5 V晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 190 V, 0.13 ohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 --
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount -
封装 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - 3
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.13 Ω 0.13 Ω
极性 N-Channel -
耗散功率 85 W 85 W
阈值电压 2.5 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 190 V 190 V
上升时间 20 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 2000pF @25V(Vds) 2000pF @25V(Vds)
下降时间 75 ns 75 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
耗散功率(Max) 850mW (Ta), 20W (Tc) 85000 mW
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 -