晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 100 V, 0.033 ohm, 10 V, 2.5 V
表面贴装型 N 通道 20A（Tc） 850mW（Ta），20W（Tc） CPT3
得捷:
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 20 A, 0.033 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 3-Pin2+Tab CPT T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 3-Pin2+Tab CPT T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 3-Pin2+Tab CPT T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
针脚数 3
漏源极电阻 0.033 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 0.85 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 2100pF @25VVds
下降时间 100 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 850mW Ta, 20W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RSD201N10TL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RSD200N10TL 罗姆半导体 | 类似代替 | RSD201N10TL和RSD200N10TL的区别 |
RD3P200SNTL1 罗姆半导体 | 功能相似 | RSD201N10TL和RD3P200SNTL1的区别 |