对比图
型号 RSD200N10TL RSD201N10TL FDD3690
描述 CPT N-CH 100V 20A晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 100 V, 0.033 ohm, 10 V, 2.5 V100V N沟道PowerTrench MOSFET的 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
数据手册 ---
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.033 Ω 64 mΩ
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 20W (Tc) 0.85 W 60 W
阈值电压 - 2.5 V -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 20A 20A 22.0 A
上升时间 61 ns 35 ns 6.5 ns
输入电容(Ciss) 2200pF @25V(Vds) 2100pF @25V(Vds) 1514pF @50V(Vds)
下降时间 193 ns 100 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 20W (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) 3.8W (Ta), 60W (Tc)
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 22.0 A
通道数 - - 1
输入电容 - - 1.51 nF
栅电荷 - - 28.0 nC
漏源击穿电压 - - 100 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
额定功率(Max) 20 W - 1.6 W
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - - 6.73 mm
宽度 - - 6.22 mm
高度 - - 2.39 mm
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
材质 Silicon - -
产品生命周期 Obsolete Not For New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99